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  • 简介:摘 要:功率半导体器件是电力电子控制的核心,是我国急需发展与攻关的核心领域之一,国产功率器件具有极大的市场发展空间。以SiC为代表的第三代半导体功率半导体器件,突破了Si功率半导体的功率上限,它具备更高的耐热性、更宽的禁带宽度、更大的击穿电场、更小的导通电阻,在大功率密度应用中将会有更大市场空间。随着第三代半导体功率器件的发展,对于分立器件而言既是一个突破功率上限机会,也是对封测散热设计的重要挑战。通过分析SiC芯片的TO-247封装的热学仿真结果,设计出2款有助于提升散热效果的封装新结构,再结合电、热、结构应力仿真软件辅助分析,比对传统结构及新结构的TO-247封装的功率器件,在相同边界条件下的分析其流场、温度场的变化,确定散热结构的有效性。

  • 标签: TO-247封装 SiC功率器件 热学仿真 新结构
  • 简介:摘要:针对He离子注入SiC材料He离子的浓度分布不均匀的问题,采用多重注入的方法,利用SRIM程序模拟了不同能量He离子注入SiC的过程。通过调节不同能量He离子的注入剂量,对多重注入后He离子浓度的总体分布进行了研究。结果表明,He离子的浓度值在570-780 nm范围内基本相同,高能量和低能量He离子的注入剂量相对较高。

  • 标签: He离子注入 SiC SRIM程序
  • 简介:摘要:第三代半导体设备技术,是半导体发展历程中的重要技术,也是当前技术发展的支撑。本文通过浅析第三代半导体材料,对其晶体生长方式进行分析,探究SiC晶体设备构成。结合国内外进展情况,为国内SiC晶体设备技术发展提供更科学的技术,意在国内也能研制出更加成熟的生长设备。保证第三代半导体在更多领域得到科学应用,提升半导体材料的商业价值。

  • 标签: 第三代半导体材料 SiC晶 生长设备技术
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  • 简介:钻石粒子增强了铝硅矩阵composites,作为艾尔(Si)/diamondcomposites缩短了,被制作由压榨扔。微观结构和composites的机械性质上的Si内容的效果被调查。机械性质被发现monotonically增加,Si内容增加直到7.0?wt%。Al-7.0?wt%Si/diamond合成展览78的张力的力量?MPa,230的弯曲力量?426的MPa,和压缩力量?MPa。Al-Si最容易溶解的阶段被显示紧与艾尔矩阵和钻石粒子连接,它为在艾尔(Si)/diamondcomposites的机械性质的改进负责。

  • 标签: 合成材料 钻石粒子 机械性质 接口
  • 简介:Carbonnanotube(CNT)reinforcedaluminummetalmatrixcompositeswereweldedbyelectronbeamweldingandthemicrostructuresofweldedjointswereinvestigated.TheresultshowedthattheinterfacialreactionhappenedbetweentheCNTsandAlmatrix,whichresultedinproducingbrittleAl_4C_3compoundsinelectronbeamwelds.Theextentofinterfacialreactionvariesgraduallyinthedepthandwidthdirection.ThelengthofthereactantsAl_4C_3becameshortduotothetemperaturegradientinthemoltenpool.ThequantityandsizeofAl_4C_3compoundsincreasedwiththeincreaseofbeamcurrentandthedecreaseofweldingspeedinthemiddlezoneofweld.However,noneedle-likephaseAl_4C_3wasobservedinHAZ.

  • 标签: 电子束焊接 焊接接头 碳纳米管 显微组织 铝复合材料 电子束焊缝
  • 简介:本文以AL鞋业有限公司为基础,分别针对销售人员流失的现状、原因进行分析,着重以规范制度、坚持以人为本为主要对策研究,并辅以公平竞争、法律制度为研究对象。

  • 标签: 销售人员 流失 对策分析
  • 简介:有在2~6的范围的厚度的极端薄铝电影0nm被dc磁控管劈啪作响扔了仪器。获得的样品的反射和发射度与一个WFZ-900-D4UV/VIS分光光度计被测量。光常数(n,k)并且介电常数(ε',ε')被使用Newton-Simpson周期性的替换决定方法。结果显示极端薄铝电影的电磁的组成的特征是厚度的功能并且有明显的尺寸效果。

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  • 简介:为了提高方镁石-尖晶石砖性能,以电熔镁砂、镁铝尖晶石、金属铝粉和板状刚玉为原料来制备方镁石-尖晶石材料。研究了金属铝粉和板状刚玉添加量对材料体积密度、显气孔率、高温抗折强度、抗热震性的影响。结果表明:随着金属铝粉加入量的增多,材料烧结性能得到提高,加入金属铝粉时材料的高温抗折强度变大,加入金属铝粉1.5%时抗热震性最好;加入板状刚玉2%时烧结性能和抗热震性最好,加入4%板状刚玉时材料的高温抗折强度最大。

  • 标签: 金属铝粉 镁铝尖晶 石物理性能 无铬化
  • 简介:Inthisstudy,C_f/AlcompositesandTiAlalloyswerejoinedbyanewmethodnamedlaser-ignitedselfpropagatingsynthesis(SHS).Mixedpowdersof63.0Ni-31.9Al-5.1Ti(wt%)wereusedasjoininginterlayer.Perfectjointwasgot.ThemicrostructureevolutionandformationmechanismoftheSHSjointwereinvestigatedbyscanningelectronmicroscopy(SEM),energy-dispersivespectroscopy(EDS)andX-raydiffraction(XRD).Resultsshowthatlocalizedmeltingoccursonbothsides.Oneγ-Ni_(0.35)Al_(0.30)Ti_(0.35)andtwoNi-Alreactionlayersform,respectively,intheTiAl/interlayerandC_f/Al/interlayerinterfaces.ThecombustionofNi-Al-TiinterlayerbeginswiththesharpreactionofNiandAl.TheinterlayerproductisaeutecticorganizationofNiAlandAl-richγ.

  • 标签: TiAl合金 铝复合材料 激光烧结 组织演变 NiAl 中间层
  • 简介:利用射频(RF)共溅射的方法在n-Si(111)衬底上,以SiO_2为主靶,上面放置不同数量的Si片和石墨片,沉积出掺杂氧化物SiC复合薄膜,随后在不同温度下进行退火处理,并研究了其光致发光谱和光激发谱。不同C含量的样品在450nm和580nm附近均得到不同强度的发光峰,主要来自于Si、C注入后引起的基质成键变化而带来的氧空位缺陷和Si晶粒,对于C含量较高的样品在580nm处观察到黄光发射与C团簇有关。利用FTIR和XRD表征了复合膜的结构,UV—VIS分光光度计表征了复合膜的透射吸收特征。

  • 标签: SiC—SiO_2 纳米复合薄膜 光致发光 研究
  • 简介:[摘要]伴随新能源变流器的持续应用发展,其今后发展趋势将以较高的功率密度、可靠高效、低成本等为主。以SiC器件为基础下新能源类型逆变器属于必然的一种选择。我国现阶段已有部分光伏的逆变器内部着手引入SiC器件,并且投放运行,所获取效果比较理想。鉴于此,本文主要探讨光伏逆变器当中SiC器件的应用及其挑战,仅供业内相关人士参考。

  • 标签: []逆变器 光伏 SiC器件 应用 挑战
  • 简介:摘要宣钢一钢轧厂在冶炼低合金钢和普碳钢中用碳化硅(SiC)部分替代硅铁和增碳剂进行转炉合金化试验的生产实践表明,该工艺稳定性好,与同品种原脱氧合金化工艺相比,新脱氧合金化工艺使钢的化学成分内控率有所提高,吨钢成本降低1.70元/t钢,实现了良好的经济效益。

  • 标签: 碳化硅 合金化 替代
  • 简介:生产高质量铸件的低压铸造工艺可以用来制造DuralcanA1-SiCp复合材料.添加不同百分含量(质量分数ω分别为9%、15%、20%和25%)的硅,随后可通过低压铸造工艺来铸造复合材料.2mm壁厚、无缺陷、高质量的高硅复合材料铸件也可以通过这种工艺获得.低压铸造工艺铸造出来的复合材料铸件的显微结构显示出颗粒呈均匀的分布,材料具有良好的强度性能.

  • 标签: 低压铸造 增强高 复合材料低压
  • 简介:在中密度C/C复合材料基体上采用催化化学气相沉积方法生长碳化硅纳米线(SiCnw)及制备碳化硅纳米线/碳化硅(SiCnw/SiC)涂层,研究中密度C/C复合材料基体上加载催化剂后涂层沉积及其抗氧化性能,结果表明:中密度基体上催化制备SiCnw涂层,可改善沉积效率,同时可抑制裂纹扩展,明显改善SiC涂层在1200℃的氧化防护能力。另外,在1500℃的空气中氧化10h后,SiCnw/SiC涂层氧化质量损失率仅为1.34%,明显低于质量损失率为8.67%的单层SiC涂层。

  • 标签: 碳化硅纳米晶须 C/C复合材料 SiCw/SiC涂层 化学气相沉积(CVD)