简介:摘 要:功率半导体器件是电力电子控制的核心,是我国急需发展与攻关的核心领域之一,国产功率器件具有极大的市场发展空间。以SiC为代表的第三代半导体功率半导体器件,突破了Si功率半导体的功率上限,它具备更高的耐热性、更宽的禁带宽度、更大的击穿电场、更小的导通电阻,在大功率密度应用中将会有更大市场空间。随着第三代半导体功率器件的发展,对于分立器件而言既是一个突破功率上限机会,也是对封测散热设计的重要挑战。通过分析SiC芯片的TO-247封装的热学仿真结果,设计出2款有助于提升散热效果的封装新结构,再结合电、热、结构应力仿真软件辅助分析,比对传统结构及新结构的TO-247封装的功率器件,在相同边界条件下的分析其流场、温度场的变化,确定散热结构的有效性。
简介:Carbonnanotube(CNT)reinforcedaluminummetalmatrixcompositeswereweldedbyelectronbeamweldingandthemicrostructuresofweldedjointswereinvestigated.TheresultshowedthattheinterfacialreactionhappenedbetweentheCNTsandAlmatrix,whichresultedinproducingbrittleAl_4C_3compoundsinelectronbeamwelds.Theextentofinterfacialreactionvariesgraduallyinthedepthandwidthdirection.ThelengthofthereactantsAl_4C_3becameshortduotothetemperaturegradientinthemoltenpool.ThequantityandsizeofAl_4C_3compoundsincreasedwiththeincreaseofbeamcurrentandthedecreaseofweldingspeedinthemiddlezoneofweld.However,noneedle-likephaseAl_4C_3wasobservedinHAZ.
简介:有在2~6的范围的厚度的极端薄铝电影0nm被dc磁控管劈啪作响扔了仪器。获得的样品的反射和发射度与一个WFZ-900-D4UV/VIS分光光度计被测量。光常数(n,k)并且介电常数(ε',ε')被使用Newton-Simpson周期性的替换决定方法。结果显示极端薄铝电影的电磁的组成的特征是厚度的功能并且有明显的尺寸效果。
简介:Inthisstudy,C_f/AlcompositesandTiAlalloyswerejoinedbyanewmethodnamedlaser-ignitedselfpropagatingsynthesis(SHS).Mixedpowdersof63.0Ni-31.9Al-5.1Ti(wt%)wereusedasjoininginterlayer.Perfectjointwasgot.ThemicrostructureevolutionandformationmechanismoftheSHSjointwereinvestigatedbyscanningelectronmicroscopy(SEM),energy-dispersivespectroscopy(EDS)andX-raydiffraction(XRD).Resultsshowthatlocalizedmeltingoccursonbothsides.Oneγ-Ni_(0.35)Al_(0.30)Ti_(0.35)andtwoNi-Alreactionlayersform,respectively,intheTiAl/interlayerandC_f/Al/interlayerinterfaces.ThecombustionofNi-Al-TiinterlayerbeginswiththesharpreactionofNiandAl.TheinterlayerproductisaeutecticorganizationofNiAlandAl-richγ.
简介:在中密度C/C复合材料基体上采用催化化学气相沉积方法生长碳化硅纳米线(SiCnw)及制备碳化硅纳米线/碳化硅(SiCnw/SiC)涂层,研究中密度C/C复合材料基体上加载催化剂后涂层沉积及其抗氧化性能,结果表明:中密度基体上催化制备SiCnw涂层,可改善沉积效率,同时可抑制裂纹扩展,明显改善SiC涂层在1200℃的氧化防护能力。另外,在1500℃的空气中氧化10h后,SiCnw/SiC涂层氧化质量损失率仅为1.34%,明显低于质量损失率为8.67%的单层SiC涂层。