简介：飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)凭借其卓越的电源技术优势推出三种全新“绿色”飞兆功率开关(FPS)产品，针对各式应用的100W至250瓦功率范围开关电源(SMPS)要求，包括彩电、DVD接收器、音频设备及等离子体平板显示器等。随着新型FSCQ系列的推出，飞兆半导体可提供满足1W～250瓦应用要求的完整绿色FPS产品系列。

简介：她在报告中回顾了功率变换技术的发展历史，对如何获得高效、优波负载适应性和强鲁棒性的综合特征进行了阐述。效率、优波、负载鲁棒性以及对负载尖刺的危害等问题的合理解决，关键是如何得到与输出波形同步、同形、同频、同相的纹波供电电压波形，并始终跟随其幅频变化，保持线性功率管工作在临

简介：介绍一种利用推挽变换、倍压整流电路实现高压输出电源的设计方案．着重介绍了开关电源主电路、高压变压器以及可靠性热设计的具体方法，最后给出了设计的测试结果。

简介：无论对哪种封装，新一代600V超结MOSFET的导通电阻标定了新的基准。新产品系列的特点是电流容量和开天速度非常高。兼之它具有目前世上无与伦比的优值FoM（Ron＊Qg）——低于6ΩnC，这就注定了此器件将被用于硬开关AC／DC功率转换电路。本论文详细分析了移相ZVS全桥和交替双管正激架构（ITTF）的功耗。为尽量保证比较有意义，我们选择了非常相似的设计方案和相同的功率输入／输出条件。结果表明，与次好的MOSFET移相ZVS桥相比，新产品系列在不牺牲效率的条件下允许采用更简单的ITTF电路拓扑。

简介：介绍了pspice中功率场效应管模型的建立方法,并仿真测试了它的一些特性。

简介：功率器件的质量对节能灯的寿命起关键作用，从理论分析入手，对其失效机理进行分析。

简介：以天通公司生产的EC49型和ET35型磁芯在彩色电视机电源部分的应用为例，分析开关电源的工作原理及功率软磁铁氧体磁芯的主要性能对开关电源的影响。

简介：本文阐述以小型、低电感的功率模块，获得紧凑的电源系统的优点。为了提高工作频率和达到最高效率，本功率器件集成了现代工艺的超结MOSFET器件和最新SiC（碳化硅）二极管。作为示范，苏黎世ETH电力电子系统实验室开发了一个10KW输出功率，功率密度高达8．5kW／l（85W／cm3），高效率和嵌入功率模块中的一个6-开关维也纳整流器。

简介：实验评估了600V，4A碳化硅(SiC)肖特基二极管(英飞凌，SDP04S06)的性能。作为一种重点的应用，作者考虑选用一种300W，按平均电流模式控制的Boost功率因数校正器(PFC)。作者测量了采用该型号SiC肖特基二极管和采用两种超快、软恢复的硅功率二极管(RURD460和目前正被列入的STTH5R06D)制成的整机的效率、开关损耗、二极管损耗和电磁干扰(EMI)等特性。本文比较了这些结果，特别是定量地考察了SiC二极管提供的恢复电流的减小对该变换器行为的这些关键参数的影响。基于试验结果，本文表明在功率因数校正器设计中，采用SiC二极管只是在高开关频率时才是合算的。

简介：在200W连续导通模式功率因数校正（PFC）系统中，新一代600V砷化镓（GaAs）肖特基二极管与硅和碳化硅（SiC）二级管比较，砷化镓、碳化硅在PFC系统中的损耗减少高达25％。由于砷化镓有较低的结电容，砷化镓相对碳化硅高的通态损耗被较低的MOSFET损耗弥补了。和碳化硅技术相比，砷化镓有成本和可靠性优势。对于高频和高密度应用来说，新一代的砷化镓二级管是很有前景的。

简介：参与了26年PCIM（功率变换与运动智能控制）会议，离开之前，我（1994-2004年的欧洲PCIM会议董事长编者）愿意与大家共享我的最后一篇文章，它是关于对PCIM的三个领域的认识：功率变换，运动智能控制，电能质量和能源管理，还有未来趋势。

简介：提出了一种基于扰动信号、且可线性化的非线性系统设计方案，该方案旨在改善带高频逆变器负载的二极管整流电路的功率因数。文中从原理及实验两方面对该方案进行了详细分析，并给出了实际的电路设计方法。

简介：介绍了TH558型大功率金属陶瓷四极管的结构特点,同时结合实际使用情况给出了TH558在短波发射机中的应用与维护注意事项。

简介：本文主要针对低压功率开关管的功耗进行了理论分析，并在此基础上分别对两种典型结构槽栅MOSFET和e-JFET在不同工作频率下的功耗分布和总功耗进行了定量的仿真计算和对比。通过研究发现，在一定工作条件下，常闭型e-JFET比目前常用的沟槽栅型MOSFET仅开关功耗就降低约24%，总功耗则降低约30%，将其运用于CPU电源电路中的开关功率管的制造，在高频领域有着极好的应用前景。

简介：1前言高速开关和现代封装技术要求变革电子产品传统的功率分配方法——电缆线束、铜片总线和印刷电路板上的电源线与地线,期望功率分配线的电感小,电阻低,电容大,占用空间小。图1b给出的迭层结构功率母线(BusBars)已应用于大型计算机系统、通信和航空电子学等的功率分配子系统,新型通用功

简介：测量IGBT逆变器的输出电流需要电流传感器。按输出功率的不同，目前已有一些熟知的测量方案。在逆变器的印刷电路板(PCB)上放置取样电阻，因系统成本低，电流测量精确而被广泛采用，但运行中取样电阻的功耗限制了这种方法的使用，因而对于较大的功率必须采用其他方法。现在有一种技术，即把电流取样电阻放置到IGBT模块的基板上，使其尽可能地靠近散热器，这种技术可以用于最高达35kW等级的电流测量，但实际上在更大功率的测量时仍采用目前应用的电流传感器法。

简介：国际功率半导体器件与功率集成电路会议(InternationalSymposiumonPowerSemiconductorDevicesandICs．，缩写为ISPSD)是美国电气与电子工程师协会主办的不带地区色彩的国际性学术会议。例如，2001年会议收到论文的地区分布比例为欧洲23％，北美25％，亚洲14％，日本38％。会议地点在北美、欧洲、日本三地轮流举行，每年依序更换，

简介：功率半导体器件（亦称电力电子器件）、半导体集成电路和光电器件是当前我国七个战略性新兴产业之一的＂新一代信息产业＂的基础和关键技术。同时,功率半导体器件还破认定为融合工业化和信息化的最佳产品。小久前出版的《功率半导体器件基础》一书,对功率半导体领域相关专业的本科生、研究生作为入门教材或专业研究人员、工程师作为案头参考资料,

简介：1出版信息清华大学蔡宣三教授和北京理工大学龚绍文教授合著的《高频功率电子学》一书已由中国水利水电出版社2009年6月在北京出版。

简介：发展单片集成MOSFET和肖特基二级管器件来减小Qrr和在DC-DC同步降压转换中的死区时间损耗。这篇文章报道了一种新的器件。这种器件在没有妥协MOSFET优点的同时，它可以降低超过29％的反向恢复电荷，和降低24％的正向电压降。在1MHZ，集成单片FET做同步整流，其电路效率提高1.1％。随着开关频率和电流的增加性能也得到改善。