简介：采用化学腐蚀光学显微法和同步辐射截面形貌术研究了三硼酸锂（LBO）晶体的生长缺陷，实验结果表明，LBO晶体中的主要缺陷是位错、包裹物和扇形界。讨论了这些缺陷形成的原因和降低缺陷的措施。

简介：研究KTiOAsO4晶体的生长缺陷，对于改善它的性能和应用前景，有很大的意义。本文利用化学腐蚀光学显微术和同步辐射X射线形貌术研究了KTiOAsO4晶体的缺陷，实验结果表明，两种腐蚀剂对于显示KTA晶体的表面缺陷效果显著，KTA晶体中主要的缺陷有铁电畴、生长层、扇形界、位错和包裹物。讨论了这些缺陷形成的原因。

简介：同步辐射软X射线（白光）对InP表现进行了辐照。并对样品的表面电子结构作了UPS和XPS分析。结果显示，样品表面电子态变化明显，P3a峰化学位移大于In4d峰。与In非键合的P2p峰面积辐照后显著增加。说明软X射线对InP表现F原子的电离损伤要大于In原子。

简介：

简介：红外吸收光谱表明样品含片状和分散状分布的杂质氮，属Ia型金刚石。利用同步辐射对晶体进行了形貌学研究，在近完整晶体内近中心的（001）和（010）结晶学平面观察到生长带，生长方向平行于（100）和（010）。在欠完整晶体内小角度晶界发育，取向角达2．5°以上。晶体完整性与氮含量无明显相关关系。

简介：首次报道了利用光学显微法和同步辐射白光X射线形貌术对Cr:KTP晶体缺陷的研究结果。光学显微法采用热磷酸作为腐蚀剂，用Opton大型显微镜反射法观察，观测到（100）面和（021）面的位错蚀坑以及（021）面的小角度晶界。用同步辐射白光X射线形貌术作出（001）面、（010）面和（100）面形貌面，从图中可明显观察到生长层、扇形界及位错线。由此得出，Cr:KTP晶体的主要缺陷是位错、生长扇形界、生长层等。

简介：LiNdP4O12(LNP）晶体是一种新型的激光材料。本文报道了用同步辐射X射线白光形貌术和光学显微法研究由助熔剂籽晶旋转法生长的LNP晶体的生长缺陷，观察到了圆形生长台阶及精细的系列台阶结构，对晶体中的包裹物和位错缺陷等进行了详细的观察描述，还发现了一种比较奇特的腐蚀沟槽，分析了这种腐蚀沟槽的形成机理及各种缺陷的成因和克服办法。

简介：报道了用同步辐射X射线白光形貌术和光学显微法研究由助熔剂籽晶旋转法生长的LNP晶体的生长缺陷。本文除对晶体中的包裹物和位错缺陷等进行了详细观察描述外，还发现了一种比较奇特的腐蚀沟槽。最后分析了这些缺陷的成因和克服办法。

简介：（CO＋Cs)/Ru(101^-0)共吸附的体系中，CO分子由于受Cs原子强烈影响，分子轨道发生重新杂化组合。CO分子原来在清洁Ru(101^-0)表面上结合能位于7.5eV处相重叠的5σ和1π轨道对应谱峰分裂为两峰，结合能分别位于6.3和7.8eV处，其中6.3eV处的谱峰来自CO分子1π轨道的一支，它显示出该分子轨道沿衬底＜0001＞晶向的镜面反对称性。CO分子1π轨道的另一支和5σ轨道在结合能7.8eV处相重叠。

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简介：采用微乳液法制备了表面包覆表面活性剂AOT的氢氧化镍纳米微粒，退火后得到纳米尺寸的氧化镍颗粒。用EXAFS方法对获得的氢氧化镍和氧化镍纳米颗粒进行了研究，得到了EXAFS结构参数，并分别与体相材料进行了比较。结果表明与体相材料相比，纳米材料配位结构表现出不同的特性。

简介：LiGaO2与GaN的晶格失配率只有0．2％，是一很有潜力的蓝光衬底材料。本文利用化学侵蚀、光学显微镜、透射电子显微镜对晶体中的缺陷进行了分析，研究了生长参数、原料化学配比对晶体质量的影响及其和晶体中缺陷形成的关系。TEM分析表明，由于原料近非化学计量比挥发致使组份偏离，容易产生γ－Ga2O3包裹物。包裹物和位错形成具有一定的相互促进作用。X射线貌相分析发现提拉法生长LiGaO2晶体中易于形成平行于（001）面的亚晶界，这可能和其沿[001]方向的极性有关。

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简介：利用同步X光透射形貌技术，研究了液封直拉（LEC）、水平布里支曼（HB）、垂直梯度凝固（VGF）三种生长技术制备的Φ2"晶片的位错缺陷。发现LEC晶体中缺陷明显高于HB、VGF晶体，VGF缺陷缺陷最低，HB晶体居于两者之间。结合生长界面温度梯度和杂质掺入水平，讨论了位错分布差异的原因。

简介：用同步辐射光电子谱详细研究了Cu(111）面上超薄Pb膜随厚度与退火的反应。发现室温下Cu(111）面上亚单层Pb以二维密积岛的形式生长。退火至200℃形成Pb-Cu表面合金。这种表面合金只发生在Cu(111）面的最外的一个原子层。作为在单晶Cu(111)表面诱使薄膜层状生长的活化剂，Pb的表面合金化可能会对它的活化作用产生不利影响。

简介：用同步辐射角分辨偏上光电子谱对K／Ru(101^-0)表面上吸附的CO分子轨道的对称性测量发现：结合能在11.2eV的CO－4α1（4σ）分子轨道对s偏振光（在沿＜12^-10>的入射面）是禁戒的。结果表明由于K的强烈影响，CO的分子轨道重新排列（sp^2杂化）。根据选择定则和分子轨道的对称性说明，sp^2再杂化的CO分子吸附的桥位取向是<12^-10>晶向。

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简介：运用同步辐射X射线白光形貌研究了α-BaB2O4晶体内部的完整性并分析了α-BaB2O4晶体的缺陷行为及缺陷形成原因。在(001)面发现了生长扇界和亚晶界，而在(100)面和(120)面分别观察到了位错、位错组以及针状包裹体。运用白光形貌拍摄到高清晰的旁埃斑。

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