简介:利用原子力显微镜,同步辐射X射线形貌术和化学腐蚀光学显微等方法深入研究了KTiOAsO4晶体缺陷中的铁电畴和位错。首次用原子力显微镜给出了用两种腐蚀剂腐蚀过的KTA晶体表面的铁电畴和位错蚀坑的照片及定量信息,如发现铁电畴的明区要高于暗区,且两者的粗糙度明显不同。这为研究各种晶体的生长缺陷开辟了一条新的途径。
简介:2010年5月16日~19日,受国家能源局委托,核工业标准化研究所在广西北海组织召开了《核电厂核岛配电系统设计第1部分:总则》(修订EJ/T1134-2001)、《核电站电气设备水危害防护实用方法》、《核电厂安全级电路电缆系统的设计和安装》(修订EJ/T534-1991)、《电缆贯穿挡火封堵件鉴定试验》(修订EJ/T674-1992)4项核电标准(送审稿)的审查会。本次审查会是核电行业标准化技术委员会(以下简称标技委)正式成立后的第一次核电行业标准审查会,国家能源局、环境保护部核与辐射安全中心、中核集团科技部、中国核动力研究设计院、中国核电工程有限公司、上海核工程研究设计院、核动力运行研究所、
简介:利用同步辐射(BSRF)漫散射站四圆衍射仪,对SiC体单晶的结构进行了判定以及对利用常压化学气相沉积(APCVD)生长的3C-SiC/Si(001)中的孪晶及含量进行了分析。六方{10-15}极图证明了该SiC单晶为6H(H为Hexagonal的缩写)结构。对3C-SiC外延薄膜,Φ扫描证明了3C-SiC外延生长于Si衬底上,外延取向关系为:(001)3C-SiC//(001)Si,[111]3C-SiC//[111]Si。3C-SiC的{111}极图在x=15.8°出现了新的衍射,采用六方{10-10}极图以及基体倒格点111、孪晶倒格点002的Mapping分析了x=15.8°处产生的衍射为3C-SiC孪晶所致,并利用ω扫描估算了孪晶的含量约为1%。